常州江苏大学工程技术研究院
Changzhou Engineering and Technology Institute of Jiangsu University
本发明涉及神经突触网络技术领域，特指一种具有记忆功能的神经突触网络。根据电容充放电存储信息的原理，给晶体管施加电压， 使晶体管导通对电路中的电容进行充电， 并通过对该种晶体管进行 n× n 阵列形式排布，形成具有记忆功能的神经突触网络。 其中利用氧化钨作为薄膜晶体管的栅介质层， IZO 作为沟道层实现双电层突触晶体管的制作。 对双电层突触晶体管进行 n× n 阵列形式排布，通过电路连接形成具有记忆功能的神经突触网络。
本发明属于三级专利，希望能运用于存储、计算机网络等领域，可与高企、集成电路元器件方向的企业合作。
